美韩千亿美元芯片投资潮会阻碍中国芯片自主之
发布时间:2021-12-27

  数字科技革命正在将半导体芯片产业推向“超级周期”,同时新冠疫情全球蔓延之下,突显芯片产业链的战略安全意义。半导体技术研发实力雄厚的美国,也希望提高本土的芯片生产能力。美韩等国纷纷计划在此领域投入千亿美元,中国大陆的芯片强国路在激烈的全球竞争下,压力将越来越大。

  南韩总统文在寅上星期访美引起关注的议题之一,是美韩两国芯片制造方面竞争与合作。美韩首脑在白宫峰会后宣布,两国同意共同努力增加汽车使用的传统芯片全球供应,并通过促进增加相互投资和研发合作,支持两国先进半导体制造业。

  白宫声明称:“随着技术领域日新月异,我们同意加强在关键和新兴技术方面的伙伴关系,以促进共同安全与繁荣。”

  此外,白宫方面还表示,美韩两国将促进对半导体(包括先进芯片和汽车芯片)和高容量电池的相互和互补投资,并承诺在这些关键产品的材料、零件和设备的整个供应链相互和补充投资,以扩大生产能力。

  韩国本月21日在总统文在寅访美期间表示,南韩已要求美国提供减税、支援稳定的水电供应等激励措施,以支持等韩国企业在美国的芯片建厂投资。

  据路透社报导,青瓦台方面确认,三星已计划投资177亿美元在美国德州奥斯汀兴建新晶圆代工厂。

  此次峰会前,美韩两国先后发力,希望通过政府直接投资和对私营企业的优惠措施,提高各自在半导体芯片制造领域的能力。

  拜登行政当局和美国国会目前正在推动的公共投资立法拟定的半导体投资规模超过千亿美元。韩国政府本月13日宣布计划,2030年以前投资约4500亿美元,要打造全球最大芯片制造产业中心。

  韩国的半导体投资计划将主要由私企占主导。南韩政府计划以拨款、减免税赋和支援基础设施的方式对私营企业提供政策支援。韩国企业中,三星电子一家就计划投资171万亿韩圜(约合人民币9767.3亿元),以提升逻辑芯片(即非内存芯片)晶圆代工实力。

  美国方面,专案冗杂的2021年《国防授权法》收入国会议员提出的《美国芯片法》(CHIPS for America Act)条款。根据此法案,美国将授权一系列半导体研发计划,并为美国本土半导体芯片制造提供补助。

  由于《美国芯片法》没有指定政府资助资金来源,行政当局和国会都在为拨款支援国内半导体产业立法努力。目前外界主要关注的是拜登提出的基础设施计划和国会参议院推出的支援科技产业法案,两项计划的政府出资额都超过500亿美元。

  拜登2月表示,要为《美国芯片法》实施争取370亿美元拨款投入,但他3月31日宣布的2兆美元基础设施计划,半导体制造和研发专项投资加码到500亿美元。

  不过,目前白宫已将基础设施投资计划的投资总额降低到1.7兆美元,试图消除共和党人对预算纳入不必要花费的不满。半导体专案500亿拨款能否落实还是未知数。

  国会参议院方面,之前获得跨党派支援的《无尽前沿法案》(Endless Frontier Act)最近追加修正案,为美国半导体产业提供520亿美元联邦政府资助。参议院领袖舒默18日院会发言说,这笔资金将即刻促进国内芯片生产,加强半导体供应链安全。

  《无尽前沿法案》在5月已经通过参议院商务委员会表决,经修订后改名为《美国创新竞争法〉(US Innovation and Competition Act)。舒默书面声明说,这项补充拨款提案计划未来5年投入390亿美元,完全用于旨在带动传统芯片生产的激励专案,另投入105亿美元用于支援半导体研发专案。

  “这对我们国家的经济,包括汽车和科技产业及军事都非常关键。”舒默说:“我们不能依赖外国生产的芯片了。”

  与此同时,美国半导体企业还在游说政府推出更优惠的税收减免措施,为芯片制造设备采购、设施建设、研发等方面争取高达40%税收减免。

  韩国最近推出的半导体产业扶助计划也纳入类似税收优惠措施,将大公司半导体研发投入的税额抵扣率从30%提高到40%~50%,设备投资税额抵扣率增加到10%~20% 。预计三星电子、SK海力士将是直接受益者。

  美国本土私企投资方面,除了三星的170亿美元晶圆代工厂计划,奉行垂直整合制造(IDM)模式的美国半导体巨头英特尔今年3月提出在亚利桑那州投资200亿美元新建两座晶圆厂的计划, 预计2024年投产。

  另据路透社报导,台积电继去年宣布将在亚利桑那州凤凰城投资100亿至120亿美元兴建晶圆厂后,最近考虑加码在美国投资,生产更先进的3nm芯片,新工厂可能耗资230亿至250亿美元。

  根据美国半导体业协会(SIA)和波士顿咨询集团(BCG)调查称,近年来美国在全球半导体制造市场的市占率急速下降,从1990 年37% 滑落至目前12%。而2020年中国台湾半导体产能全球市占率为22%,其次是韩国21%,日本和中国大陆皆为15%。

  然而,近年来中国大陆正在不断加强对于半导体产业的投入,中国大陆半导体产业的实力正在快速得到加强。根据日经从信息服务商Wind(万得信息)获得大陆上市公司收益数据汇整而成的资料显示,2020年大陆给113家半导体公司的补贴总额高达106亿元人民币,这个数字相比前一年增长14%,是10年前的12倍。

  根据预计,在中国大陆的大力扶植下,预计到2030年,中国大陆半导体全球市占可能会攀升至24%。当然,这是在美国、欧盟以及韩国、日本等国政府没有跟进推出大规模半导体产业投资和补贴计划的前提下。

  而现在,随着美国计划推出500亿美元,加码推动本土半导体制造业的发展,欧盟以及韩国、日本等国政府也在纷纷跟进。如果美国支持芯片制造业的国家政策得以落实,以及例如韩国等美国盟国的企业加大在美国的半导体制造投资,那么美国本土的芯片产能无疑将会在数年之后得到大幅提高。有预测称,如果美国芯片制造激励政策落实,美国在全球的产能占比可提升到世界第二。

  那么,随着美国芯片制造产能占比上的大幅提升,则意味着中国大陆在半导体芯片产能上的追赶将面临更多挑战。

  按照IC Insights的预测,到2025年中国大陆半导体芯片市场规模将达到2230亿美元,而2025年中国大陆半导体芯片产值将达到432亿美元。按照这个预测数据,到2025年中国大陆生产的半导体芯片产值在整个中国大陆半导体芯片市场当中的占比将达到19.4%。

  2020年8月,国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》,指出中国芯片自给率要在2025年达到70%。显然,这与IC Insights的预测的中国大陆2025年不到20%的芯片自给率有着很大的差距。

  而这个自给率实际上是等于“国内芯片生产总值(包括国外企业在中国生产的芯片) / 国内芯片需求总值(包括进口芯片)。

  需要指出的是,以上统计的2020年中国大陆生产的半导体芯片产品的432亿美元产值当中,还其他一大部分是总部位于中国大陆以外的中国台湾地区企业和国外企业所生产的。例如台积电、SK 海力士、三星、联电等在中国大陆有晶圆厂的企业。

  根据IC Insights的预计,在2020年中国大陆生产的价值227亿美元的半导体芯片产品当中,总部位于中国大陆的企业所生产的半导体芯片产品仅价值83亿美元,占比36.5%。

  也就是说,即使加上众多的海外半导体厂商在中国大陆设厂制造的芯片,目前国内芯片自给率也只有15.9%,那么要想在2025年实现70%的芯片自给率,减少芯片进口,那么就必须大力发展国产芯片制造业,同时大力引进国外的半导体制造企业对于国内的投资。

  但是,从目前来看,总部不在中国大陆的半导体芯片制造企业的投资,大部分都在开始转向美国。此外,韩国、日本及欧盟也都在积极推出激励政策,吸引头部半导体企业投资,大力发展本土的芯片制造业。相比之下,中国国内近期在网络上却掀起了一阵反对海外半导体企业在中国大陆进行投资扩产的邪风,令人匪夷所思。

  另外在先进制程芯片的发展上,由于中国半导体制造龙头中芯国际受到美国的制裁,导致关键半导体设备的采购受阻,这也限制了中国先进制程芯片的追赶。

  市场研究公司Counterpoint Research 5月对先进逻辑芯片行业(10nm以下节点)分析预计称,2021年全球先进晶圆产能的55%集中台湾,韩国以20%占比排名第二,美国第三,占全球总量18%。

  分析称,如果《美国芯片法》落实,在先进制程芯片制造方面,到2025年,美国的先进制程芯片产能将超过韩国,扩大到全球总量21%,并在2027年继续提高到全球产能24%,届时中国台湾产能占比将降至40% ,中国台湾和韩国的总产能将占全球57%。而中国大陆由于美国禁令的限制,先进制程芯片产能3~5年可能仅占全球总量的6%。

  卡托研究所高级研究员斯科特·林西科姆(Scott Lincicome)说,中国芯片生产水准仍处于中游,距离世界顶尖至少有5~10年差距。

  他表示说:“但问题是,其他公司和政府当然也在创新……我的感觉是,中国大陆的芯片产业很难在高阶领域赶上台积电、三星、英特尔三大巨头。而美国制裁更是雪上加霜,确实让中国芯片产业很难获得生产5nm甚至3nm芯片所需的顶级设备,虽然不是完全没可能。”

  日经亚洲(Nikkei Asia)3月调查显示,7家中国芯片制造设备制造商表示,订单大多是生产14~28nm芯片的机器,有些制造商甚至生产更老的芯片生产设备。受访者说,美国对中国的贸易制裁使从国外获得零部件和材料变困难,虽然部分可以使用中国国产零件和材料做为替代品,但是也将降低成品合格率。

  美国科技产业咨询公司国际数据公司(IDC)副总裁、负责半导体产业研究专案的马里奥‧莫拉莱斯(Mario Morales)表示,美国历来是半导体研发强国,设计能力有本土生态优势,将影响半导体产品供应层面。

  他说:“看看美国,美国研发仍然领先。世界最大的无晶圆厂(fabless)芯片设计公司仍来自美国。所以像高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)、赛灵思(Xilinx )和AMD这样的公司──这些都是无晶圆厂公司,在各自领域都处于领先地位……所以这也给美国带来了很大的优势。还有工具和软件方面,电子设计自动化(EDA)工具支撑大量芯片设计,这也主要由美国的Synopsys 和Cadence控制。

  美国半导体业正积极争取政府资助和政策优惠,认为可催化和引入更多芯片生产投资。批评者则指出,芯片企业资金雄厚、无须资助,各国加大补贴可能引发日后的贸易争端。而且芯片制造资金投入极高,先进的晶圆工厂建厂成本常高达70亿到100亿美元。

  根据预计,美国联邦政府如果推出200亿美元经济刺激计划,可催生14家半导体晶圆厂,吸引1740亿美元投资;若能拿出500亿美元,新增加的晶圆厂可提高到19家,吸引投资金额可达2790亿美元,将扭转美国国内芯片产能下滑的趋势。

  业界分析认为,芯片业正迎来“超级周期”(super cycle)。从新一代智能手机、计算机等IT设备到数据中心系统,至航空航天和军事应用,芯片需求无所不在,各国政府也开始对这领域产生更多兴趣,纷纷强调本国投资。

  IDC半导体应用预测分析报告说,2021年全球半导体市场可达5220亿美元,同期相比增长12.5%。消费类、计算、5G和汽车半导体需求将继续强劲增长,芯片供应紧缺将持续。

  IDC副总裁莫拉莱斯表示:“半导体制造商也意识到,即使疫情结束后,芯片需求也会增加。因此让所有人都想对半导体生产投入更多资金。当然美国又回到与中国对抗的立场……出于对中国的担忧,要将一些半导体产品生产带回国内,实行(支持)龙头企业、产业政策做法。

  这就是我们现在的情况:私人公司和政府不约而同决定,不仅世界需要更多芯片生产能力,各地政府也希望把芯片生产带回本国,所以钱就像洪水涌入。”

  “从投资角度来看,这只是开始。” 莫拉莱斯说:“无论是美国、欧盟、韩国、日本还是中国……很多政府都不仅着眼未来两年,着眼是未来10年。”

  莫拉莱斯说,政府关注半导体业是好事,但芯片制造成本高,很容易出现僧多粥少局面。

  他说:“英特尔、三星、台积电和格芯(GlobalFoundries),一定会排队等着利用政府这笔钱,因为对他们来说,这能补贴半导体业整体一些沉重成本结构。”

  莫拉莱斯说:“即使美国政府投资530亿,除以研发,除以制造,就能发现这笔钱如何分散,远远不够。因此,我认为对企业更有利的做法应是补贴,就像中国大陆做法,或中国台湾、韩国政府那样,提供税收优惠,提供激励,以鼓励更多国内投资。”

  卡托研究所的林西科姆则批评美国目前芯片补贴方案没有针对性,没有集中支持最高阶生产技术。

  他说:“这些补贴大多数没有把重点放在尖端晶圆厂。所以一家生产12nm芯片甚至汽车制造商使用的特别大体积芯片公司(比如格芯)也能获益。”林西科姆说:“这对全球半导体竞争没有影响,这只是直接发放给企业的福利(corporate welfare),帮助某些公司,可能会降低美国汽车制造商的芯片价格,但肯定不是好产业政策。”

  大力资助半导体产业的政府不仅限美、中、韩地区,欧盟也考虑建立半导体联盟,并希望引进台积电、三星或英特尔在欧洲建厂,计划2030年让欧盟在全球半导体制造领域的占有率从10%提高到20%。政府资金可能来自7500亿欧元的新冠疫情后复苏基金,1434亿欧元用于创新和数位行业。

  此前,英特尔曾公开回应欧盟的邀请,表示愿意赴欧盟建晶圆厂,但是前提是欧盟需要提供80亿欧元的补贴。

  林西科姆指出,芯片巨头其实都不缺钱,各国政府的“补贴竞赛”令人匪夷所思,补贴可能在未来引发贸易争端。

  “三星、台积电和英特尔目前并没有因现金问题受什么伤害。然而,各国政府补贴竞赛都好像被迫必须采取行动。”他说:“问题有两方面:一是这些补贴造成各种扭曲,我们可能最终导致行业产能过剩,先是短缺,然后是补贴,然后通常下一步是过剩,这几乎不可避免会造成贸易摩擦。我们有约束补贴和补贴进口的全球贸易规则。可预见未来几年,这些补贴引发大贸易争端,然后带来关税等问题。”

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  39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚

  V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...

  5 / NCV8606在固定电压选项下提供超过500 mA的输出电流,或者在5.0 V至1.25 V范围内提供可调输出电压。这些器件专为空间受限和便携式电池供电应用而设计,并提供其他功能,如具有高PSRR,低噪声操作,短路和热保护。这些器件设计用于低成本陶瓷电容器,采用DFN6 3x3.3封装。 NCV8605的设计没有使能引脚,NCV8606设计有使能引脚。 特性 输出电压选项:可调,1.5 V,1.8 V,2.5 V,2.8 V, 3.0 V,3.3 V,5.0 V 外部电阻可调输出,从5.0 V降至1.25 V 电流限制675 mA 低I GND (独立于负载) 1.5%输出电压容差(可调) 在所有工作条件下2%输出电压容差(已修复) NCP605已修复直接替换LP8345 没有旁路电容的50 Vrms的典型噪声电压 增强型ESD额定值:4 kV人体模式(HBM) 400 V Machin e Model(MM) 应用 终端产品 电池电力电子设备 便携式仪器 硬盘驱动程序 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...

  4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...

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  NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...

  NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...

  0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...

  1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...

  是一款线 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:

  是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...